Vol.15 ULTRABIN+によるケイデンスHVMOSモデルの高精度抽出

2007.11.30

モーデック社では、既にご提供させていただいているケイデンス社HVMOSモデルパラメータ抽出サービス(2007/5配信 モーデックNews Vol.9)に、新たに開発したBINNING手法である”ULTRABIN+”を適用することによって、より高精度となりましたHVMOSモデルパラメータ抽出サービスのご提供を開始いたします。
ケイデンス社HVMOSモデルはBSIM3v3 Version3.1をベースとしたモデルであり、モデル自体が既に拡散長・幅依存を持っています。しかし実際に使用されている高耐圧MOSFETの特性に対して、HVMOSモデルの持っている拡散長・幅依存では追随できないことがあります。
そのため高耐圧MOSFETでも、広いデバイスサイズ範囲で高精度にSPICEシミュレーションを行うために、BINNING手法が用いられていますが、BINNINGを用いると、ビン間でモデルパラメータ値のギャップによるシミュレーション収束性への影響が問題になる場合があります。またその検証にも多くの時間と労力が必要となり、ビンの数が増えるほどその量は増えていきます。
モーデック社ではこの度、これらの問題を解決した”ULTRABIN”(2006/8配信モーデックNews 創刊号)の技術を用いたBINNING手法”ULTRABIN+”を新たに開発いたしました。
”ULTRABIN+”は”ULTRABIN”の特長を受け継ぎ、精度を維持しつつ、ビン間のギャップがでないようにビン分けすることが可能です。そのためビン間の不連続性の問題が起きず、どのドメインでもシミュレーション時間に何ら影響を与えません。
この”ULTRABIN+”をHVMOSモデルの抽出に用いることにより、通常動作領域だけでなく、BINNINGを行う上で扱いが難しい2次効果のパラメータを使用する低電流領域等も、広いデバイスサイズ範囲でより高精度なシミュレーションが可能となります。