デバイス測定

デバイス測定の概要

DC、CVといった基本的な特性から、Sパラメータ、1 / fノイズなど、特殊な測定機器を使用する特性まで、様々な測定を請け負っております。
また温度に関しても、常温はもちろん低温（-40℃）から高温（200℃）まで様々な温度での測定が可能です。
コーナーモデル、ばらつきモデル作成用の大規模な測定にも対応可能です。

サービス一覧

DC, CV測定

DC, CV特性は、最も基本的な特性だからこそ、高精度に測定するのがモーデックのクオリティです。
社内環境では、200V / 1A、1fF～が、測定可能な条件ですが、必要に応じて機材や環境を準備いたしますので、ご希望の条件をお知らせください。

Sパラメータ測定

Sパラメータ測定に関しては、RF (Radio Frequency) ～ミリ波110GHzまでの測定が可能です。
様々な校正手法を駆使して、デバイス本体の特性を高精度に測定いたします。

詳細はこちら（正確なSパラメータ請負測定）

RF特性（Sパラ以外）

高周波回路設計においては、ft、fmax、MAG / MSG等のRF特性も重要です。
Sパラメータ測定と同時に、これらの特性も評価データとして入手できます。

自己発熱特性

一般的な自己発熱特性の評価はパルスIV測定で行われますが、当社ではSパラメータの測定データを利用します。
このため測定系におけるインピーダンス整合の問題が解消され、安定した特性評価が可能になります。

高耐圧・ハイパワーデバイス (IGBT) 特性

スイッチング用パワーデバイスは高効率化が求められており、その指標になるのがターンオフ・スイッチング特性ですが、評価回路設計も含めて対応可能です。

化合物系 (GaN, SiC) デバイスの特性測定・評価ベアチップ実装の評価

化合物系デバイスは高温動作・高速制御可能な電力変換器向けに注目されています。
特に高温動作の特性評価が重要になりますが、現在250℃まで対応可能です。

パワーMOSFET　デバイス評価・測定

一般的なパワー系の測定ではカーブトレーサーが使用されるため、短パルス幅と低デューティ比が使用されますが、これは実際のデバイス動作状態と異なる可能性があります。
当社では任意のパルス条件を設定することで、より実際に近い状況での評価に対応することが可能です。

コーナーモデル、ばらつきモデル作成用大規模測定

大量のデータを要する、コーナーモデル、ばらつきモデル作成用測定も対応可能です。
必要に応じて、社外契約サイトのセミオートプローバーを利用して、効率よく、短納期での測定を実施いたします。

雑音指数、ノイズパラメータ特性

低雑音回路の設計には、正確なノイズパラメータが不可欠ですが、上限周波数は50GHzまで対応可能です。

1/fノイズ特性

1/fノイズモデルの作成を受託で請け負います。

詳細はこちら（1/fノイズ特性）

スイッチング特性

デバイス評価としては一般的なスイッチング特性も、お客様のご要望にあわせた条件で柔軟に対応することが可能です。

ダイオードリカバリタイム測定・評価

ダイオードの逆回復時間特性は、スイッチング電源回路の低電力化・低ノイズ化に最も影響する特性です。
独自ノウハウにより、正確なダイオードのリカバリ特性を取得することができます。

コンタクタ仕様評価・測定

製品検査等、電気的接続が必要とされる際に使用されるコンタクタ部品も製品の高速化に伴い、高周波特性の仕様が求められてきています。
当社では、コンタクタの形状にかかわらず柔軟に対応することが可能です。

Current Rating測定（荷重負荷ストレス状態）

コンタクタの仕様に含まれる電流負荷に対する力学的な測定評価にも対応可能です。

ベアチップ実装の評価

シャトルユーザのお客様向けに、ベアチップ状態での測定評価に対応しております。

測定仕様