Vol.36 トランジスタ動作時の容量特性評価サービスのお知らせ

2009.08.25

弊社”1/fノイズ測定・抽出”でお困りではありませんか?
近年の半導体デバイスは、微細化及び高速・高周波化は言うまでもなく、低雑音化の技術も急速に進歩しております。
このため正確でかつ安定した雑音特性を得るためには、高額な測定システムを導入するだけでは不十で、問題となる外来ノイズの対策など、安定した測定結果を得るためのノウハウの蓄積も必要となります。
しかしながら、そのための工数は膨大なものになることが予想されます。
開発期間の短縮を求められている開発者自身が測定やパラメータ抽出を行うことは、非効率的です。
この度弊社で構築いたしました1/fノイズ測定システムは、システムノイズフロアとして-178.5dBV^2/Hz@1kHzを実現しております。またAC電源ラインに起因するスプリアスを除去するためのフィルタも独自に開発しております!
これにより、低雑音化が進んだ最新の半導体デバイスにおいても、モデリングに必要な1/fノイズ特性を問題なく測定することができます。また、パラメータ抽出サービスでサポートするモデルも、MOSFETのBSIM3やBSIM4、HiSIM2をはじめ、様々なモデルでご提供する体制を整えております。
1/fノイズ特性の評価が新規に必要になったお客様はもとより、これまでの測定結果・抽出結果に満足されていないお客様も、この機会に是非ご検討下さい!