モーデック社では、Cadence社との協調ビジネスの一環として、Spectreに組み込まれているHVMOSモデルのパラメータ抽出サービスを開始いたします。
Cadence社のHVMOSモデルは、ディープサブミクロンデバイスに対応する高耐圧MOSFETモデルです。ベースとなるデバイスモデルはBSIM3v3 Version3.1ですが、次のような項目においてモデルの改良が加えられております。
- 高ゲートバイアス時の電流集中効果
- 非対称ソース/ドレイン構造
- 移動度劣化
- 飽和領域における高ゲートバイアス時の相互コンダクタンス減少特性
- 自己発熱効果
- 多様なゲートバイアス依存出力特性に対する追随性の考慮
モーデック社の高度なデバイスモデリング技術を適用することで、HVMOSモデルが所有するこれらの性能を最大限に引き出し、通常の動作領域はもとより、微少電流領域やリニア電流領域においても高精度なパラメータをご提供いたします。
高電圧領域のIC設計を必要とするフラッシュメモリや液晶ディスプレードラ