全方位プローバーの概要
DUTに対してあらゆる方向から針（プローブ）が接触でき、3次元デバイスのDC、RF測定の作業効率化に貢献します。
- SIPインターポーザーの表裏間端子のDC、RF測定をしたい
- メモリーパッケージの表裏間端子のDC、RF測定をしたい
- 部品内蔵基板の表裏間端子のDC、RF測定をしたい
このようなDUTの表裏間のDC、RF測定を測定したいが、装置のセットアップが分からない。といったお悩みをすべて全方位プローバーが解決いたします。
製品の主な特徴
プローブ接触イメージ
製作協力：エスアイ技研（代表：小磯 直也）
下向き位置 0° 
横向き位置 90° 
上向き位置 180° 使用例・測定例
ガラス基板TSVのRF測定例～20GHz
4インチウエハ
半導体パッケージ基板RF測定例～20GHz
5mm×10mm
TSVの高周波測定S21,S12周波数100MHz～20GHz
校正
通常の校正基板を使用しての校正。既存の資産を活用できます。
- 校正手法：SLOT,LRM
- プローブを表面位置で校正し、プローブを90°または180°回転し測定位置へ（表裏校正基板もカスタム製作可能）
- 校正基板を常時搭載可能
－ サンプルとの入替え無しに、いつでも校正可能
－ 校正基板を２枚同時搭載可能（例：ポート間でプローブピッチが異なる校正用）
測定対象の保持方法
可変サンプルステージ 
サンプル搭載用治具 
ウェハ取付ステージ（4インチ径） 特注で、ご希望のサイズ、形状対応いたします。