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伊達 昇司

パワーデバイス設計課に配属後、各種パワーデバイスの設計・評価に従事。
・バイポーラパワートランジスタ設計/評価
・IGBT設計/評価
・現在は、次世代デバイスであるSiCやGaNデバイスの測定手法を確立し、評価に従事