東京工業大学 松澤研究室と弊社の共同研究の成果であります下記論文がSSDM(Solid State Devices and Materials) 2010に採択されました。
『A Forward Body Bias Characterization for Low Voltage CMOS Circuits』
ナノメーターCMOSの基板を順方向にバイアスしてデバイスのしきい値電圧を下げる手法は、CMOSの低消費電力化実現のための有効な手法の一つとされています。 この手法を用いた低電圧CMOS回路設計技術が東京工業大学 松澤研究室にて研究されています。モーデックはこの研究の際、効率のよい自動回路設計を行う環境を構築することができるよう、そこで使用するMOSFETモデルの研究開発を依頼されています。今回は基板順方向バイアスでの90nm CMOSプロセス・デバイスを対象として、その特性解析とモデル化の基礎検討を行いましたので、その成果を論文として弊社会長の青木が発表いたします。
なお、SSDM 2010は以下の日時、場所にて開催されます。
| 日時 : | 2010年9月22日(水)～2010年9月24日(金) ポスターセッションは、9月23日(木)の13:15～14:45に開催 |
| 場所 : | 東京大学 本郷キャンパス |
多数の皆様方のご参加をお待ち致しております。
SSDM 2010に関する詳細情報は
http://www.ssdm.jp/index.html
をご覧になって下さい。