以前より東京工業大学大学院 理工学研究科 電子物理工学専攻、松澤昭教授から、RF CMOS回路研究関連でお持ちのシミュレーションにおける問題点をご呈示いただいておりましたが、具体的な共同研究の内容が決定し先月末より双方にて研究開始いたしました。
研究テーマは、
- バイアス、チャネル長、チャネル幅、チャネル長・幅依存の1/fノイズモデルに関する研究
- CMOSスイッチの高精度シミュレーションに関する研究
の2つです。1はモーデック主導で行い、2は東工大主導で実施します。
どちらのテーマも、東工大側で実験用デバイス、回路モジュール開発・作成、モーデック側ではデバイスモデルの開発、モデルパラメータの抽出ルーチン開発を担当します。
また、モーデックでは必要に応じて、東工大大学院生の教育にも参加します。
モーデックの得意とする最先端のCMOSデバイスモデリングに関する理論的、実践的な技術と、世界的にも希有な最先端の実践的CMOS回路技術教育をされている、松澤教授の研究室によるRF CMOS回路技術が一体となって多くの成果が得られると思います。この成果は双方によって国際学会発表、論文誌への掲載などにより公表する予定です。
今後の進行状況などにつきましては、このメルマガにて随時お伝えして参りますので、モーデックのモデリングサービスと合わせてご期待ください。