去る平成17年9月13日から15日の期間、神奈川県パシフィコ横浜で開催されました。
SSDM (INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID STATE DEVICES AND MATERIALS) 2006に弊社社長の青木と常務の嶌末が、下記内容のポスター論文を発表致しました。
論文タイトル:"Gate Capacitance Analysis of Multi-finger MOSFETs for RFApplications"
著 者: | 青木 均、嶌末 政憲 |
概 要: | RF CMOSアプリケーションにおいては、主に短いゲートチャネル長を有するMOSFETが使用される。そのため、微少なゲート容量に関する詳細な解析が必要となる。マルチフィンガーMOSFETに対して、微細に分布したRC回路構造を有する実践的なゲート・ドレイン及びゲート・ソース容量モデルとBSIM3を基に改良したMOSFETモデルを新規に開発し、周波数2GHzから20GHzまで検証された。 |
発表結果: | 多数のお客様がCMOS Devices/Device Physicsエリア内の弊社ポスターブースを訪れ、論文内容について活発な質疑応答がなされました。 |
>>>>>SSDM2006に関しては<<<<<
http://www.ssdm.jp/ を御参照下さい。