アクティブデバイスモデル開発研究の現状
本記事では、SPICE (Simulation Program with Integrated Circuit Emphasis)に代表される回路シミュレータで使用される，アクティブデバイス（ダイオードやトランジスタなど）のモデル作成に関する，主に学術的な情報をお伝えします。ここでは特に，ミックスド・シグナル設計検証用として注目されている言語Verilog-AMSの一部、アナログ記述用言語Verilog-Aを用いたモデル開発についてお話します。
・第１回 はじめに
・第２回 マクロモデルを使用した簡単なモデル改造例
・第３回 Verilog-Aによるコンパクトモデルの簡単な開発例
・第４回 Verilog-Aコンパクトモデルのパラメータ抽出例
・第５回 GaN HEMTデバイスモデリングの必要性
・第６回 GaN HEMTの経験的なコンパクトモデルについて
・第７回 GaN HEMTの表面電位ベースコンパクトモデルについて
・第８回 GaN HEMTの仮想ソース（Virtual Source）ベースコンパクトモデルについて
・第９回 ASM-HEMTモデルとMVSGモデルの標準的なパラメータ抽出手順について
・第１０回 GaN HEMTエンハンスメント型デバイスの開発について（１）
・第１１回 GaN HEMTエンハンスメント型デバイスの開発について（２）
・第１２回 GaN HEMTエンハンスメント型デバイスの開発について（３）
・第１３回 GaN HEMTエンハンスメント型デバイスの開発について（４）
・第１４回 GaN HEMTエンハンスメント型デバイスの開発について（５）
・第１５回 GaN HEMTエンハンスメント型デバイスの開発について（６）
・第１６回 GaN HEMTエンハンスメント型デバイスの開発について（７）
・第１７回 GaN HEMTエンハンスメント型デバイスの開発について（８）(新規公開中！）