2023.01.25NEW
企業ニュース

技術記事:「Vol.2 第12回 GaN HEMTエンハンスメント型デバイスの開発について(3)」を公開!

アクティブデバイスモデル開発研究の現状
本記事では、SPICE (Simulation Program with Integrated Circuit Emphasis)に代表される回路シミュレータで使用される,アクティブデバイス(ダイオードやトランジスタなど)のモデル作成に関する,主に学術的な情報をお伝えします。ここでは特に,ミックスド・シグナル設計検証用として注目されている言語Verilog-AMSの一部、アナログ記述用言語Verilog-Aを用いたモデル開発についてお話します。

第1回 はじめに
第2回 マクロモデルを使用した簡単なモデル改造例
第3回 Verilog-Aによるコンパクトモデルの簡単な開発例
第4回 Verilog-Aコンパクトモデルのパラメータ抽出例
第5回 GaN HEMTデバイスモデリングの必要性
第6回 GaN HEMTの経験的なコンパクトモデルについて
第7回 GaN HEMTの表面電位ベースコンパクトモデルについて
第8回 GaN HEMTの仮想ソース(Virtual Source)ベースコンパクトモデルについて
第9回 ASM-HEMTモデルとMVSGモデルの標準的なパラメータ抽出手順について
第10回 GaN HEMTエンハンスメント型デバイスの開発について(1)
第11回 GaN HEMTエンハンスメント型デバイスの開発について(2)
第12回 GaN HEMTエンハンスメント型デバイスの開発について(3)(新規公開中!)