全方位プローバーの概要

DUTに対してあらゆる方向から針(プローブ)が接触でき、3次元デバイスのDC、RF測定の作業効率化に貢献します。

  • SIPインターポーザーの表裏間端子のDC、RF測定をしたい
  • メモリーパッケージの表裏間端子のDC、RF測定をしたい
  • 部品内蔵基板の表裏間端子のDC、RF測定をしたい

このようなDUTの表裏間のDC、RF測定を測定したいが、装置のセットアップが分からない。といったお悩みをすべて全方位プローバーが解決いたします。

製品の主な特徴

プローブ接触イメージ

 

製作協力:エスアイ技研(代表:小磯 直也)

下向き位置 0° 下向き位置 0°
横向き位置 90° 横向き位置 90°
上向き位置 180° 上向き位置 180°

使用例・測定例

ガラス基板<br>TSVのRF測定例~20GHz<br>4インチウエハ ガラス基板
TSVのRF測定例~20GHz
4インチウエハ
半導体パッケージ基板<br>RF測定例~20GHz<br>5mm×10mm 半導体パッケージ基板
RF測定例~20GHz
5mm×10mm
TSVの高周波測定S21,S12<br>周波数100MHz~20GHz TSVの高周波測定S21,S12
周波数100MHz~20GHz

校正

通常の校正基板を使用しての校正。既存の資産を活用できます。

  • 校正手法:SLOT,LRM
  • プローブを表面位置で校正し、プローブを90°または180°回転し測定位置へ(表裏校正基板もカスタム製作可能)
  • 校正基板を常時搭載可能
    - サンプルとの入替え無しに、いつでも校正可能
    - 校正基板を2枚同時搭載可能(例:ポート間でプローブピッチが異なる校正用)

測定対象の保持方法

可変サンプルステージ 可変サンプルステージ
サンプル搭載用治具 サンプル搭載用治具
ウェハ取付ステージ(4インチ径) ウェハ取付ステージ(4インチ径)
特注で、ご希望のサイズ、形状対応いたします。