2011.04.25

HiSIM-HVモデルは、ご存知の方も多いかと思いますが、広島大学と半導体理工学研究センター(STARC)にて共同開発され、液晶ディスプレイ用ドライバ、カーエレクトロニクス用デバイス、RF用パワーアンプ、スイッチといった製品群で使用されているHVMOSデバイスの業界標準モデルでございます。
HiSIM-HVモデルは、バルクCMOSデバイス用コンパクトモデルのHiSIM2をベースとしており、HiSIM-HVモデルもHiSIM2モデルも内部表面ポテンシャルに基づいた電流及び電荷を計算したモデルとなっております。また、これまでのBSIMを拡張したマクロ・モデルに比べて解析精度が高いことや、シミュレーションが早く収束するという特徴を有し、ドリフト領域の抵抗、疑似飽和領域、自己発熱といった高耐圧デバイスに特有の効果もモデリングすることが可能でございます。
弊社では、以前からこのHiSIM-HVモデルによるモデリングサービスを行っており、今までに多くの受注を頂きました実績がございます。もちろん、ライブラリも各種シミュレータに対応しており、納品致しましたお客様からは「実測との乖離の少ないモデリング結果に非常に満足」、「回路設計精度が格段に向上した」といったお言葉を頂いております。
HiSIM-HVモデリングサービスにご興味のある方は、是非弊社までご遠慮なくご連絡下さい。きめ細かいサービスにてご対応し、必ずご満足頂ける結果をご提供することをお約束致します。
皆様からのお問い合わせを、お待ちしております!