MOSキャパシタの容量モデリングは、一般的に蓄積状態での測定値を使用して行っておりますが、実際の回路ではMOSデバイスは空乏化状態で動作させており、ゲート容量と直列に空乏層容量が存在する形となっております。
その空乏層容量はゲート電圧によって変化しますので、実際の回路動作をより正確にシミュレーションする手法の一つとして、デバイス動作時の空乏層容量変化を盛り込んだモデリングが挙げられます。
その高度なモデリング手法を弊社ソフトウェアのMoDeCH-Extractorにオプションとして追加することが可能となりました。実際に出来上がってきた製品の特性評価を行うと、設計時のスペックを満足せず、回路修正を行うことになった等苦労された方も多いかと思います。そこで、このトランジスタ動作時の容量モデリングといった手法を取り入れることにより、過渡特性等のより正確なシミュレーションが可能となり、効率的な設計が実現できます。
以上のようなモデリング手法にご興味のある方は、是非弊社までご連絡下さい。
皆様からのお問い合わせをお待ちしております。