Vol.34 東京工業大学との共同研究についての中間報告

2009.06.25

弊社の技術力について、ワールドクラスのレベルをめざし日夜努力していることはお客様各位にご認識いただいているものと存じます。
これは、弊社の経営理念に基づき、常に最先端技術の研究を継続して行っていることに由来するものでございます。

その最先端技術の研究の一つとして、東工大との共同研究も含まれており、現在次の2つのテーマで研究を進めております。

  1. MOSFETにおける1/fノイズモデルのL, W, LW依存性と熱雑音モデルの研究
  2. スイッチ用途におけるMOSFETモデルの高精度化の研究

上記1の研究につきましては、モデリングに必要となるTEG指導から実施させていただき、先日完成したTEGを弊社所有の高確度1/fノイズ測定システムを使用して測定を実施いたしました。今後は今回のテーマに沿って測定データの解析を進め、新しいサイズ依存モデルの実現を目指します。

また2の研究につきましては、特にアナログ回路で重要となるON抵抗、チャージフィードスルー、OFFリーク電流の各特性に着目し、モデルの改良も含め、高精度にシミュレーションするための技術を確立させる予定でございます。

これらの研究の成果につきましては、随時モーデックのサービスとしてお客様にご提供させていただきたいと考えております。
弊社の技術研究成果に、是非ご期待下さいませ。