2009.06.25

モーデックNews Vol.12、20、30で逐次お伝えしております弊社の独自コンパクトモデル、MoDeCH-Tsinghua (MT) HV-LDMOSモデルの研究開発に関する進行状況についてお知らせいたします。

今回よりコードアクセス権がモーデックに移りましたので、弊社にてコーディングを行うかたちで進めております。

前回ご報告の直流、トランジェント特性での自己発熱効果に加え小信号Sパラメータでの動作検証はほとんど完了しました。この自己発熱モデルはVerilog-Aによるモデル式で記述されていますので、その他のモデル、例えばHiSIM-HVに搭載させることも可能です。モデル完成時には、ご希望のモデルと、弊社のモデルを選択してご使用いただける方向で提供を考えております。

自己発熱モデル以外の開発といたしましては、

  1. LDMOSドレイン電流のドリフト電流依存
  2. ドレイン・ソース抵抗のゲート電圧・ドレイン電流依存
  3. LDMOSの非対称ドレイン/ソース抵抗モデル
  4. 速度飽和のドレイン電流依存モデル

などを開発し、いくつかの実デバイス測定によって検証を行っております。

弊社ではできるだけ多くのHV-MOS、LD-MOSデバイス・プロセスを用いたデバイスを用い、モデルの検証を行っていますが、限界があることも事実です。そのため、導入をご希望のお客様がいらっしゃいましたら、是非、お知らせください。
御社のご希望デバイスを用いた検証をさせていただき、先に実用環境を設定いたします。

今後もMT HV-LDMOSモデルに関する研究開発状況を、本メルマガにて引き続きお伝えして参ります。どうぞご期待ください。