モーデックNews Vol.12、20でお伝えいたしました弊社の独自コンパクトモデル、Tsinghua-MoDeCH (TM) HV-LDMOSモデルの研究開発に関する進行状況についてお知らせいたします。
本モデル最大の特徴である新しいアナリティカル自己発熱モデル（自己発熱サブ回路ネットワークを必要としない独自モデル）の開発に成功いたしました。その結果、従来では自己発熱をオンにすると収束しなかったような回路での収束性を大幅に向上させることができるようになりました。
もちろん、自己発熱効果の精度は劣化させておりません。
皆様が容易にご使用することができるように、多くの市販シミュレータがサポートするVerilog-A言語を用いて記述しております。
そのため、シミュレーション速度はお使いの市販シミュレータのVerilog-Aコンパイラーに依存いたします。
現時点では、DC／時間領域においてその効果を確認しております。
今後は、周波数領域、さらに種々の高耐圧プロセスでの検証及びモデルの更なる改良をいたします。
今後も、TM HV-LDMOSモデルに関する研究開発状況を、本メルマガにていち早くお知らせいたしますので、どうぞご期待ください。
また、皆様が開発、ご使用さているデバイスにおいて新モデル開発のご希望などもお寄せいただければ幸いです。