2009.02.25

”SiC JFET/MOSFET/BJTのモデリングもモーデックにお任せ下さい”

昨今の半導体業界、特にパワーエレクトロニクス分野において、SiCデバイスへの移行が加速しております。
この状況をふまえて弊社では、新たにSiC JFET/MOSFETモデリングサービスのご提供が可能になりましたのでご案内いたします。

弊社のSiC JFET/MOSFETモデリングサービスの特長は、パワーデバイスで重要となる低抵抗特性やスイッチング特性を考慮した独自マクロモデルの開発にあります。また、パラメータ抽出では特にスイッチング特性について、DC/CVで基本となるモデリングを高精度で行った後、トランジェント波形データを対象にモデルパラメータをチューニングすることで、更に回路動作時の精度を向上させます。
また、車載用途等では高温環境での動作が要求されます。
これは正確な温度特性モデルも必要となる事を意味しますが、弊社では独自に高温測定環境とSiC JFET/MOSFET向けの温度モデルを開発いたしました。これらを使用することで任意の温度においても十分な精度でモデリングすることが可能となっております。

弊社には長年のハイエンド・モデリング・サービスで培ってきた豊富な理論的知識と高い実践技術があります。
これらの知識と技術にはパワーエレクトロニクスの分野も含まれます。
是非SiC JFET/MOSFETモデリングサービスにつきましても、ご検討いただきますようお願い申し上げます。