2006.10.23

HiSIM2のモデリングで STARC(株式会社半導体理工学研究センター)様に協力 日本初のナノテクノロジー対応MOSFETモデルであります。
Hiroshima University STARC IGFET Model version 2 (HiSIM2)は、表面電位型MOSFETモデル(Surface Potential MOSFET Model)の中で最も物理的です。
将来日本の半導体業界で実用化される可能性が非常に大きいと言えましょう。
ただ、現在では実用化に向けての実践的な試行が必ずしも充分とは言えません。
そこでSTARC様ではデバイスモデリングで多くの実績があり,高い技術力を持つ弊社、モーデックをパートナーとして、HiSIM2の実用化に向けたモデリング、シミュレーションの検証、問題点の抽出などの協力依頼を決定されました。
また、STARC様ではSTARC会員様などからのHiSIM2モデリングのご要求には、弊社をご推奨いただけることとなりました。
これを受けモーデックでは、特にRFでの回路動作,大信号AC動作などに重点を置いたモデリング・シミュレーションの実験,検証を開始いたします。
今後弊社にて発表いたします、CMOSモデリング関連の国際学会論文などでは積極的にHiSIM2を使用していく予定です。
今後のHiSIM2実用化に向けて、皆様のご協力を是非お願いいたします。
弊社の実験,検証の成果につきましてもどうぞご注目ください!