2008.10.23

”ナノテクノロジーデバイスのモデリングはモーデックにお任せ下さい!!!”

今や最先端のCMOSプロセスは、ナノスケールの時代に突入しております。したがって、LSI設計の分野においてもナノスケールデバイスを使用することが必須であり、それに対応した設計環境を構築することが急がれます。その中でも回路シミュレーションに必要なデバイスモデルを入手することは、非常に困難であり、設計期間の短縮や歩留まりの向上に寄与するような高精度ライブラリとなるとさらに難しくなるものと考えます。

弊社では、ナノテクノロジーにおけるモデリングに存在する様々な問題に対して解析・研究を行い、それぞれに対するソリューションを開発しておりますが、今回は次の2つの問題に対するソリューションをご紹介いたします。

1.微細化における特性ばらつきの増大
チャネル長が100nm以下になるとLSIチップ内のトランジスタ特性ばらつきが大きくなることが知られていますが、これはプロセス起因のばらつき以外に、しきい値制御のためにチャネル部に注入される不純物の数や、配置が揺らぐことによるランダムばらつきで特にしきい値電圧に顕著に表れます。
このため、モデルパラメータ抽出の対象となるデバイスの選択によっては、しきい値電圧のチャネル長・幅依存に矛盾が起こり、正確なモデリングができなくなる場合があります。
したがって、この問題に対する有効な解決策は、統計的に矛盾のない対象デバイスを選択するということであり、弊社では”MOSTAT”の導入をお勧めしております。
MOSTATについては、これまでもモーデックニュースで様々な機能についてご紹介させていただきましたが、その中のティピカルデバイス選定機能を利用することで、統計的に矛盾のない対象デバイスを選定し、正確なモデリングを行うことが可能になります。

2.微細化において顕在化する各種効果に対する対応
ナノテクノロジーにおけるMOSFETは、微細化に伴う様々な物理効果が顕著になり、よりモデリングを困難なものにしています。
弊社では、これらの効果も含めより高精度なモデリングを行うためにHiSIM2はもちろん、PSP, BSIM4モデルにも対応し、測定・抽出においては、”MoDeCH-Extractor”をお客様にご提供いたします。また各ナノメーター・モデルの導入による追加効果に対するモデリングには、より高精度にモデリングするためのTEG設計アシストサービスも併せてご提供しております。

1、2はコンサルティング、抽出サービス共にご提供いたしております。

このように弊社では、ナノテクノロジーデバイスのモデリングについても様々なソリューションをご用意し、お客様のご要望にお応えする体制を整えておりますので、デバイスモデリングについてお困りの案件がございましたら、是非モーデックにお問い合わせ下さい。