2008.05.26

ナノテクノロジーを用いたCMOSの開発が行われ、様々なアプリケーションに使用されております。最近では周波数領域もミリ波帯にまで拡大し、回路シミュレーションを高精度に実施するためには、そのデバイス、寄生成分、配線、パッケージなどの高精度モデルと、モデルパラメータが必要になっております。論文、書籍などでは取り上げられていない技術的で、この周波数帯で重要なトピックの一つに”周波数分散特性”がございます。
これは、信号周波数が上昇するにつれてチャネルやチャネル-サブストレートへの寄生成分により信号分散が起きてしまう現象です。以前より高周波用途で使用されている化合物デバイスにおいては常識となっています。

モーデックでは、以前より、このCMOSで起こる周波数分散についてプロセス・デバイスシミュレータを用いて解析を行い、回路シミュレータで使用可能なマクロモデルを研究・開発いたしておりました。この成果はすでに数社のお客様に、実測データからの物理的なパラメータ抽出を含めまして提供させていただいており、すべてご満足いただいております。
核となりますMOSFETのコンパクトモデルは、BSIM3, BSIM4, HiSIM2など,どのようなモデルにも対応いたします。

CMOSによる高周波でのアプリケーションをお考えの方は、是非ともご検討ください。