2006.10.02

去る平成17年9月13日から15日の期間、神奈川県パシフィコ横浜で開催されました。
SSDM (INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID STATE DEVICES AND MATERIALS) 2006に弊社社長の青木と常務の嶌末が、下記内容のポスター論文を発表致しました。

論文タイトル:"Gate Capacitance Analysis of Multi-finger MOSFETs for RFApplications"

著  者: 青木 均、嶌末 政憲
概  要: RF CMOSアプリケーションにおいては、主に短いゲートチャネル長を有するMOSFETが使用される。そのため、微少なゲート容量に関する詳細な解析が必要となる。マルチフィンガーMOSFETに対して、微細に分布したRC回路構造を有する実践的なゲート・ドレイン及びゲート・ソース容量モデルとBSIM3を基に改良したMOSFETモデルを新規に開発し、周波数2GHzから20GHzまで検証された。
発表結果: 多数のお客様がCMOS Devices/Device Physicsエリア内の弊社ポスターブースを訪れ、論文内容について活発な質疑応答がなされました。

 

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