モーデック社では、既にご提供させていただいておりますLDMOSモデルパラメータ抽出サービスに、この度、高周波特性モデリングオプションを追加いたしました。 以前より実施のLDMOSモデルパラメーター抽出サービスの特長は、
- お客様のデバイス特性に合わせたマクロモデルを開発
- 公開されているモデルを使用したマクロモデルのため、あらゆるシミュレーターで使用が可能
- ドレイン側のドリフト拡散層の非線形抵抗特性によって生じる擬似飽和効果、自己発熱 効果、寄生ダイオード、バイポーラ効果、を含んだスケーラブルモデルを実現
- 飽和電流、オン抵抗などのDC特性、オーバーラップ容量、ドレイン-ボディ間接合容量 などの容量特性に対して、高精度に抽出
- LDMOSの測定時に起こる発振現象に対し、独自開発の発振防止回路により、安定した測 定データを取得して抽出に使用
さらに近年需要が高くなりました、高周波アプリケーション用高精度モデリングをオプションとしてご用意いたしました。内容としましては、
- Sパラメータのあわせ込み
- 過渡解析等の時間軸での評価
を中心に実施いたします。
またその他のオプションとして、
- 簡易コーナーモデルの作成
- 同一セル数のアスペクト比依存評価
- 各効果、特性が評価できるTEGの設計アシスト
等もご用意しておりますので、高周波モデリングとあわせてご検討ください。