Vol.7　STARC様に第1回のHiSIM2評価結果報告会を実施

以前にモーデックニュースでもお知らせいたしましたが、株式会社半導体理工学研究センター（STARC）様のご依頼により、昨年より広島大学STARC IGFETモデル2（HiSIM2）のモデリング、シミュレーション評価を実施いたしております。
弊社では第1回の評価として、比較的古い、様々なプロセスにおけるMOSFETの電気特性を測定し、モデルパラメータを抽出、シミュレーションを行うことで HiSIM2の現バージョンが最先端デバイス以外でも実用可能かを検証しました。
また、容量モデルについても詳細な実験を行いました。現バージョンでは、容量モデルに多少の不具合はありましたが、電流特性においては測定データと比較しても、 全体的に良好なシミュレーション結果が得られました。詳細につきましては未だお知らせすることはできませんが、順調に開発されていると思います。
今後は、今回使用いたしましたプロセス・デバイスのうち、RF用途のもの1種類に焦点を当て、RFモデリングを行ってそのパフォーマンスを評価します。さらには、簡単なRF回路モジュールを例にとって詳細なシミュレーション実験を予定しております。
今後も逐次評価結果をお伝えして参りますので、是非お読みいただければと思います。